硅上的GaN模板是通過基于氫化物氣相外延（HVPE）的方法制成的。在HVPE過程中，HCl與熔融的Ga反應形成GaCl，然后與NH3反應形成GaN。硅上的GaN模板是替換GaN單晶襯底的一種經濟有效的方法。

• GaN標稱厚度：0.1μm±0.1μm
• 前表面光潔度（Ga面）：<1nm RMS，生長，
  
• 背面處理：硅（111）N型P摻雜R：1-10 ohm.cm
  
• GaN方向：C平面（00.1）
• *性：Ga面
• 導電類型：未摻雜（N-）和電阻率：<0.05 Ohm-cm
  
• 宏觀缺陷密度：<1 / cm ^ 2
• 晶圓底座：硅[111]，10x10x0.279mm，一側拋光
• ? 這里是?200nm的AlN緩沖硅和GaN層之間 

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