Holmarc的e / m裝置(型號:HO-ED-EM-03)設計用于測量電子的荷質比e / m。該設備還有助于演示電場和磁場對移動的帶電粒子的影響。它由一個稱為e / m管的細束電子管,一對亥姆霍茲線圈和電子控制箱組成。e / m管由一根作為陰*的燈絲,一個加速陽*和一對偏轉板組成。加熱器加熱陰*,陰*發射電子。電子被施加在陰*和陽*之間的電勢加速。
Holmarc的e / m裝置(型號:HO-ED-EM-03)設計用于測量電子的荷質比e / m。該設備還有助于演示電場和磁場對移動的帶電粒子的影響。它由一個稱為e / m管的細束電子管,一對亥姆霍茲線圈和電子控制箱組成。e / m管由一根作為陰*的燈絲,一個加速陽*和一對偏轉板組成。加熱器加熱陰*,陰*發射電子。電子被施加在陰*和陽*之間的電勢加速。
e/m = [ ( 125 a2 / 128 π2 N2 ) x 1014 ] ( V / I2 D2 )
哪里
V-加速潛力
a-亥姆霍茲線圈半徑
N-每個亥姆霍茲線圈的匝數
I-通過亥姆霍茲線圈的電流
D-電子束路徑直徑
在我們的亥姆霍茲線圈中,每個線圈的匝數N = 140,半徑a = 13.5 cm
測量電子的質荷比(e / m)
加速電壓:0-250 V DC
線圈電流:0.5-2.5 A,可逆
偏轉板電壓:50-250 V,可逆
顯示方式:兩行液晶顯示
電源輸入:230 VAC 50 Hz
特征
非常適合jing確測量荷質比
清晰觀察圓形電子束路徑
可能改變線圈電流方向